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キーワード:GAN

ジョブダイレクトに掲載している「GAN」でヒットした求人の年収相場は241~385万円(月収:20.1~32.1万円)、平均が313万円(月収:26.1万円)です。
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※月収とは年収を12ヶ月で割ったもので月給とは異なります。

1件-20件

派遣会社:パナソニック エクセルスタッフ株式会社 テクニカル事業本部
情報元
取得日
2017年05月17日

【残業少★好条件】大学研究室での実験補助★細かい作業好きな方

仕事内容
■半導体シリコンウェハーの実験補助 【プロジェクト】◆GaNという結晶(シリコンウェハの材料)で、高品質で生産性の高い生産プロセスの開発及び品質改良を実施 【業務詳細】◆各種試薬を使用したサンプルの作...
応募資格
【必須条件】■何かしらの実験、評価の経験がある方、もしくは理系出身の方 ■実験などの細かい作業でも前向きに取り組める方 ■作業手順によって、きっちり業務を遂行できる方 ■OA基本操作 【歓迎条件】■危...
給与
時給:1700円~1800円 月給目安:¥276250(時給1700円/月20日、残業10時間の場合)
勤務地
吹田市 モノレール「阪大病院前」駅より徒歩15分/阪急「北千里」駅より徒歩20分 最寄り駅:阪大病院前駅 北千里駅
関連リンク
株式会社エストロワ〈総合エステティックサロン「グラサ」、毛穴ケア専門サロン「ポアレスラボ」を運営〉
情報元
取得日
2017年04月28日

【エステティシャン】転勤なし★ノルマなし★未経験者歓迎★

仕事内容
【エステサロンでメニューの施術やお客様へのカウンセリングなどサロン業務全般】or【フェイシャル専門エステでの施術、お客様対応など】 【グラサ】 フィットネスクラブ内のエステサロンでの施術・カウンセリン...
応募資格
《必須条件》 ・高卒以上 《こんな方を歓迎します》 ・美容に興味がある方 ・イチからスキルを身に付けて、手に職をつけたい方 ・働きながら自分自身もキレイになりたい方 ・今の仕事に物足りなさを感じていて...
給与
◆エステティシャン 月給19万円~(別途インセンティブ) ◆店長候補 月給24万円~(別途インセンティブ、店舗インセンティブ) ※経験・能力を考慮の上、決定いたします ※研修中の給与はエステティシャン...
勤務地
【グラサ】 以下のエリアにある直営店舗での勤務となります。 ※ご希望の勤務地をお聞きします。 ◆東京都 ◆神奈川県 ◆埼玉県 ◆千葉県 ◆愛知県 ◆京都府 ◆大阪府 ◆兵庫県 ◆奈良県 ◆福岡県 ◆熊...
関連リンク
日亜化学工業株式会社
情報元
取得日
2017年03月23日

LED・LDの設計技術者【徳島本社、横浜技術センター、諏訪技術センター...

仕事内容
...照射機器、可視光通信、植物育成光などです。 ・光エレクトロニクス要素の技術開発および基礎研究(GaNパワー半導体デバイス、ナノ技術応用光技術、バイオ・ライフサイエンスの応用技術、量子エレクトロニクス...
応募資格
◆以下の様な実務経験(3年以上) ・光半導体、半導体の開発および設計経験 ・半導体プロセスの経験 ・実装技術、CAD、光学・熱設計、シミュレーション、電子材?の経験・知識 ・半導体評価技術、光測定機器...
給与
月給:20万2000円以上 ※学歴・年齢・経験・能力を考慮し、当社規定により優遇します。 昇給:年1回 賞与:年2回 諸手当:残業代別途支給、通勤手当、家族手当
勤務地
※U・I ターン歓迎 ※転勤があります。 徳島本社:徳島県阿南市上中町岡491番地 諏訪技術センター:長野県諏訪郡下諏訪町8974-6 ◎いずれも、マイカー通勤可 横浜技術センター:神奈川県横...
関連リンク

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パワーデバイス応用技術研究開発技術者

仕事内容
と尚可 勤務地 神奈川県川崎市 社員メッセージ 担当いただくプロジェクトは、SiC、GaNなどのパワーデバイスの高速・低損失特性を活かした次世代パワーモジュールに必要なデバイス...
勤務地
神奈川県 川崎市

次世代半導体研究開発事業を担当するリサーチ・アドミニストレーターについ...

仕事内容
新しい産学官連携研究開発体制を構築するため、次世代半導体GaN(窒化ガリウム)研究拠点を整備することを掲げています。また... 我が国発の次世代半導体GaNの早期実用化に強い意欲を有してい...
勤務地
愛知県 名古屋市 千種区 名古屋大学

LED・LDの設計技術者【徳島本社、横浜技術センター、諏訪技術センター...

仕事内容
可視光通信、植物育成光などです。 ・光エレクトロニクス要素の技術開発および基礎研究(GaNパワー半導体デバイス、ナノ技術応用光技術、バイオ・ライフサイエンスの応用技術、量子エレク...
勤務地
神奈川県

LED・LDの設計技術者【徳島本社、横浜技術センター、諏訪技術センター...

仕事内容
可視光通信、植物育成光などです。 ・光エレクトロニクス要素の技術開発および基礎研究(GaNパワー半導体デバイス、ナノ技術応用光技術、バイオ・ライフサイエンスの応用技術、量子エレク...
勤務地
長野県

LED・LDの設計技術者【徳島本社、横浜技術センター、諏訪技術センター...

仕事内容
可視光通信、植物育成光などです。 ・光エレクトロニクス要素の技術開発および基礎研究(GaNパワー半導体デバイス、ナノ技術応用光技術、バイオ・ライフサイエンスの応用技術、量子エレク...
勤務地
徳島県

製造・技術系 研究・開発、製品開発

仕事内容
要件 レーザー素子のパッケージング技術をお持ちの方 ・InGaAsP/AlGaInP/GaN系 いずれかの化合物半導体 LED/LD)等の 素子実装技術をお持ちの方 ・ASAPなど...
勤務地
神奈川県

名古屋大学 未来材料・システム研究所 デンソー自動車用パワーエレクトロ...

仕事内容
の経験を有するものが望ましい。 4)SiC半導体あるいはGaN半導体の研究経験があればさらに望ましい。 5)着任予定... 4)SiC半導体あるいはGaN半導体の研究経験があればさらに...
勤務地
愛知県 名古屋市 千種区 名古屋大学

長久手市/長久手古戦場駅 自動車メーカー研究所/半導体開発

仕事内容
自動車メーカー研究機関/パワーデバイスの試作・評価 ・GaNパワーデバイスの試作品の作製・試作品の評価(電気特性、耐久性... りたい方 PRポイント: GaN(窒化ガリウム)パワーデバ...
勤務地
愛知県 名古屋市 名東区 藤が丘

ポスドク研究員 募集

仕事内容
go.jp/research/gan/employment... ム研究所天野・小出共同研究ラボ特任准教授 E-Mail: gan-jimu=ml.nims.go.jp... を...
勤務地
愛知県 名古屋市 千種区 名古屋大学

NICT RECRUITMENT OF FIXED-TERM RESE...

仕事内容
4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei-shi, Tokyo [Number... Nukui-kita, Koganei, Tokyo 184...
勤務地
東京都

化合物半導体デバイス開発者(山梨)

仕事内容
・GaN MMIC(マイクロ波モノシリックIC)の製品企画・設計・評価・顧客対応 ・顧客仕様に基づく多段アンプ設計 高精度・再現性の高いロードプル測定 ・デバイスやチップの特...
勤務地
山梨県 中巨摩郡

大学研究室での実験補助 細かい作業好きな方

仕事内容
半導体シリコンウェハーの実験補助 (プロジェクト) GaNという結晶(シリコンウェハの材料)で 高品質で生産性の高い生産プロセスの開発及び品質改良を実施 (業務詳細) 各種試薬を使...
勤務地
大阪府 茨木市 阪大病院前

光学ガラス成形および光ファイバー関連技術

仕事内容
半導体材料 •LED •LD <募集背景> 地球にやさしい安全な窒化ガリウム(GaN)で 光半導体(青色、緑色LED、紫色LD)の開発に世界で初めて成功した会社です。 LED...
勤務地
神奈川県 横浜市

NICT有期研究員 酸化ガリウムデバイスの研究開発

仕事内容
究開発における3年程度以上の実務経験を有するもの。特に、ワイドギャップまたは化合物半導体(GaN, SiC, GaAs等)デバイスプロセス、特性評価に関する経験を有する者が望ましい...
勤務地
東京都 小金井市

化合物半導体レーザー研究開発

仕事内容
められる経験 【必須】 InGaAsp/AlGaInP/GaN系 いずれかの化合物半導体レーザーの開発経験、および上記... ザーに広く携わった経験 ・GaN系材料を用いたプロセス経験...
勤務地
神奈川県

知財担当者

仕事内容
チャー企業。 次世代パワー材料である、シリコンカーバイド(SiC)でも窒化ガリウム(GaN)でもない、いま注目の新材料、酸化ガリウム(α-Ga2O3)の研究開発を行っており、アカ...
勤務地
京都府 京都市 西京区

ポスドク研究員募集

仕事内容
業務内容、担当科目等)] X線回折、X線トポグラフィー法による結晶品質評価(SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体材料) [勤務地住所等] 名古屋市千種区不老町 名古...
勤務地
愛知県 名古屋市 千種区 名古屋大学

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