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キーワード:GAN

ジョブダイレクトに掲載している「GAN」でヒットした求人の年収相場は217~403万円(月収:18.1~33.6万円)、平均が310.1万円(月収:25.8万円)です。
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※月収とは年収を12ヶ月で割ったもので月給とは異なります。

1件-20件

日亜化学工業株式会社
情報元
取得日
2017年03月23日

LED・LDの設計技術者【徳島本社、横浜技術センター、諏訪技術センター...

仕事内容
...照射機器、可視光通信、植物育成光などです。 ・光エレクトロニクス要素の技術開発および基礎研究(GaNパワー半導体デバイス、ナノ技術応用光技術、バイオ・ライフサイエンスの応用技術、量子エレクトロニクス...
応募資格
◆以下の様な実務経験(3年以上) ・光半導体、半導体の開発および設計経験 ・半導体プロセスの経験 ・実装技術、CAD、光学・熱設計、シミュレーション、電子材?の経験・知識 ・半導体評価技術、光測定機器...
給与
月給:20万2000円以上 ※学歴・年齢・経験・能力を考慮し、当社規定により優遇します。 昇給:年1回 賞与:年2回 諸手当:残業代別途支給、通勤手当、家族手当
勤務地
※U・I ターン歓迎 ※転勤があります。 徳島本社:徳島県阿南市上中町岡491番地 諏訪技術センター:長野県諏訪郡下諏訪町8974-6 ◎いずれも、マイカー通勤可 横浜技術センター:神奈川県横...
関連リンク

要素技術開発(光エレクトロニクス)/大手メーカー/神奈川県

仕事内容
技術開発/基礎研究【具体的には】以下の基礎的な研究を担当 GaNパワー半導体デバイス ナノ技術応用光技術 バイオ・ライフ... や興味がある方が望ましい。 GaN製膜技術及びデバイス開発の...
勤務地
神奈川県 横浜市

化合物半導体デバイス開発者

仕事内容
部ごとに分社化が進んでおり、籍は本社ですが出向するというケースが多い企業になります。 ・GaN MMIC(マイクロ波モノシリックIC)の製品企画、設計、評価、顧客対応 ・顧客仕様に...
勤務地
山梨県

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次世代半導体研究開発事業を担当するリサーチ・アドミニストレーターについ...

仕事内容
新しい産学官連携研究開発体制を構築するため、次世代半導体GaN(窒化ガリウム)研究拠点を整備することを掲げています。また... 我が国発の次世代半導体GaNの早期実用化に強い意欲を有してい...
勤務地
愛知県 名古屋市 千種区 名古屋大学

Assistant Professor

仕事内容
utilizing the newest power device... GaN and SiC . -Control systems security...
勤務地
東京都

【卓越研究員】助教

仕事内容
車や介護ロボットなどのパワーデバイスの応用、制御システムセキュリティやSiC、 GaNなどの最新パワーデバイスの制御などの分野。CPS(Cyber Physical Systems...
勤務地
東京都 調布市

LED・LDの設計技術者【徳島本社、横浜技術センター、諏訪技術センター...

仕事内容
可視光通信、植物育成光などです。 ・光エレクトロニクス要素の技術開発および基礎研究(GaNパワー半導体デバイス、ナノ技術応用光技術、バイオ・ライフサイエンスの応用技術、量子エレク...
勤務地
神奈川県

LED・LDの設計技術者【徳島本社、横浜技術センター、諏訪技術センター...

仕事内容
可視光通信、植物育成光などです。 ・光エレクトロニクス要素の技術開発および基礎研究(GaNパワー半導体デバイス、ナノ技術応用光技術、バイオ・ライフサイエンスの応用技術、量子エレク...
勤務地
徳島県

LED・LDの設計技術者【徳島本社、横浜技術センター、諏訪技術センター...

仕事内容
可視光通信、植物育成光などです。 ・光エレクトロニクス要素の技術開発および基礎研究(GaNパワー半導体デバイス、ナノ技術応用光技術、バイオ・ライフサイエンスの応用技術、量子エレク...
勤務地
長野県

半導体プロセスエンジニア

仕事内容
化ガリウム(GaN)パワーデバイスの量産を開始しました。大規模製造ラインを用い、Transphorm社のGaNパワーデバ... 可能になります。今後拡大するGaNパワーデバイス市場のニーズ...
勤務地
福島県

半導体プロセスエンジニア(エンジニアサポート)

仕事内容
化ガリウム(GaN)パワーデバイスの量産を開始しました。大規模製造ラインを用い、Transphorm社のGaNパワーデバ... 可能になります。今後拡大するGaNパワーデバイス市場のニーズ...
勤務地
福島県

半導体プロセスエンジニア(Thin Film (プラズマCVD) )

仕事内容
化ガリウム(GaN)パワーデバイスの量産を開始しました。大規模製造ラインを用い、Transphorm社のGaNパワーデバ... 可能になります。今後拡大するGaNパワーデバイス市場のニーズ...
勤務地
福島県

設備エンジニア

仕事内容
化ガリウム(GaN)パワーデバイスの量産を開始しました。大規模製造ラインを用い、Transphorm社のGaNパワーデバ... 可能になります。今後拡大するGaNパワーデバイス市場のニーズ...
勤務地
福島県

半導体プロセスエンジニア(Thin Film (PVD))

仕事内容
化ガリウム(GaN)パワーデバイスの量産を開始しました。大規模製造ラインを用い、Transphorm社のGaNパワーデバ... 可能になります。今後拡大するGaNパワーデバイス市場のニーズ...
勤務地
福島県

半導体プロセスエンジニア(Implant)

仕事内容
化ガリウム(GaN)パワーデバイスの量産を開始しました。大規模製造ラインを用い、Transphorm社のGaNパワーデバ... 可能になります。今後拡大するGaNパワーデバイス市場のニーズ...
勤務地
福島県

【マネージャー候補】ハードウェア設計(回路設計)エンジニア

仕事内容
企業として更なる利益拡大を目指し、 エンジニア部門全体の強化を図っています。 SiCやGaN等の新デバイスを利用した回路技術が省エネに大きく貢献! この分野において常に最先端の開...
勤務地
神奈川県 横浜市

2017 新卒採用 その他電気・電子関連 、 半導体・電子・電気機器、...

仕事内容
代エネルギー分野にも展開しています。環境社会に貢献すべく高効率・小型化を目指し、SiCやGANなどの最新デバイスの採用や最新回路技術に日々取り組んでいます。 オプトエレクトロニク...
勤務地
神奈川県 厚木市

2018 新卒採用 非鉄金属

仕事内容
機器、 「ブルーレイ」。わたしたちは、ブルーレイに必要不可欠な材料である 窒化ガリウム(GaN)の量産技術を確立し、 世界トップクラスのシェアを誇っています。 ケータイの中で大活...
勤務地
日本

生産技術スタッフ

仕事内容
職種・業界 技術 / 生産技術職 職位 生産技術スタッフ 応募資格・特記事項 GaN基板開発スタッフ 【会社概要】 日本を代表する総合化学会社グループ(グループとして1部上...
勤務地
茨城県 牛久市

2018 新卒採用 非鉄金属

仕事内容
機器、 「ブルーレイ」。わたしたちは、ブルーレイに必要不可欠な材料である 窒化ガリウム(GaN)の量産技術を確立し、 世界トップクラスのシェアを誇っています。 ケータイの中で大活...
勤務地
東京都

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