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キーワード:GAN

1件-20件

パワーデバイス応用技術研究開発技術者

仕事内容
と尚可 勤務地 神奈川県川崎市 社員メッセージ 担当いただくプロジェクトは、SiC、GaNなどのパワーデバイスの高速・低損失特性を活かした次世代パワーモジュールに必要なデバイス...
勤務地
神奈川県 川崎市

回路技術

仕事内容
職種 回路設計 勤務地 埼玉県 年収 非公開 仕事内容 •GaNやSiCなど次世代デバイス(モジュール製品を含む)の製品... 回路の設計・評価の経験 ・GaNやSiCデバイスを取り扱っ...
勤務地
埼玉県

次世代パワーデバイス開発

仕事内容
勤務地 埼玉県 年収 非公開 仕事内容 •GaN・SiCデバイス開発 〇GaN・SiCパワーモジュール開発 応募条件 [求める経験] ・GaNパワートランジスタ開発経験者...
勤務地
埼玉県

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インバータ設計・回路設計業務

仕事内容
DCコンバータ等の電力変換器の知識 •パワーデバイス(IGBT、FET、SiC、GaNデバイス等)の知識 •モータ制御用回路の知識 •Word,Excel,PowerPointを用...
勤務地
愛知県 安城市 南桜井

GaN関連プロモーション活動を担当するリサーチ・アドミニストレーターに...

仕事内容
学官オールジャパン体制によるGaN研究コンソーシアムを創設し、世界最高の国際競争力を有するGaN系パワーデバイスの高品質... ーチ・アドミニストレーター(GaNプロモ)応募書類在中」と朱...
勤務地
愛知県 名古屋市 千種区 名古屋大学

生産技術・製造技術・エンジニアリング

仕事内容
CdTe (カドミテルル), GaAs (ガリウムヒ素), InP (インジウムリン), GaN (窒化ガリウム)等) ・半導体製造におけるプロセス開発にて、自分で立案やスケジュー...
勤務地
沖縄県

カフェ&バーサービススタッフ職

仕事内容
き独自の価値を創造していきたいと考えております。「日本旅館メソッド」「サービスチーム」「Gan-Hoな組織」をキーワードに顧客満足度、経常利益、エコロジカルポイントについて具体的な...
勤務地
北海道

パティシエ&販売職

仕事内容
き独自の価値を創造していきたいと考えております。「日本旅館メソッド」「サービスチーム」「Gan-Hoな組織」をキーワードに顧客満足度、経常利益、エコロジカルポイントについて具体的な...
勤務地
北海道

応用研究(電気・電子・機械・半導体・材料系)

仕事内容
技術者 [正社員] ※上場企業 【推薦ポイント】 担当いただくプロジェクトは、SiC、GaNなどのパワーデバイスの高速・低損失特性を活かした次世代パワーモジュールに必要なデバイス...
勤務地
神奈川県

化合物半導体デバイス開発者(山梨)

仕事内容
・GaN MMIC(マイクロ波モノシリックIC)の製品企画・設計・評価・顧客対応 ・顧客仕様に基づく多段アンプ設計 高精度・再現性の高いロードプル測定 ・デバイスやチップの特...
勤務地
山梨県 中巨摩郡

ポスドク研究員

仕事内容
名古屋大学未来材料・システム研究所天野・小出共同研究ラボ特任准教授 E-Mail: gan-jimu=ml.nims.go.jp... を... にしてください)
勤務地
愛知県 名古屋市 千種区 名古屋大学

プロダクトマネジャー(パッケージソフト・ミドルウェア)

仕事内容
BCD, SOI , LDMOS)、高周波RFCMOSおよび化合物半導体(GaAs, GaN, SiC)などです。 200mmおよび300mmのウェハに対応したサブミクロンから...
勤務地
富山県

NICT RECRUITMENT OF FIXED-TERM RESE...

仕事内容
4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei-shi, Tokyo [Number... Nukui-kita, Koganei, Tokyo 184...
勤務地
東京都

NICT有期研究員 酸化ガリウムデバイスの研究開発

仕事内容
究開発における3年程度以上の実務経験を有するもの。特に、ワイドギャップまたは化合物半導体(GaN, SiC, GaAs等)デバイスプロセス、特性評価に関する経験を有する者が望ましい...
勤務地
東京都 小金井市 貫井北町

ブランド・プロダクトマネージャー

仕事内容
BCD, SOI , LDMOS)、高周波RFCMOSおよび化合物半導体(GaAs, GaN, SiC)などです。 200mmおよび300mmのウェハに対応したサブミクロンから...
勤務地
富山県

プロジェクトマネージャー

仕事内容
BCD, SOI , LDMOS)、高周波RFCMOSおよび化合物半導体(GaAs, GaN, SiC)などです。 200mmおよび300mmのウェハに対応したサブミクロンから...
勤務地
富山県

生産技術グループProcess Development Enginee...

仕事内容
知識(CdTe (カドミテルル),GaAs (ガリウムヒ素),InP (インジウムリン),GaN (窒化ガリウム)等) •半導体製造におけるプロセス開発にて、自分で立案やスケジュ...
勤務地
沖縄県

2018 新卒採用 重電・産業用電気機器

仕事内容
ています。 近年は、SiCを適用した高パワー密度の次世代ドライブシステムや、世界で初めてGaNパワー半導体モジュールを搭載した次世代パワーコンディショナの開発など、インバータ開発で...
勤務地
東京都

2018 新卒採用 非鉄金属

仕事内容
機器、 「ブルーレイ」。わたしたちは、ブルーレイに必要不可欠な材料である 窒化ガリウム(GaN)の量産技術を確立し、 世界トップクラスのシェアを誇っています。 ケータイの中で大活...
勤務地
東京都

2018 新卒採用 重電・産業用電気機器

仕事内容
ています。 近年は、SiCを適用した高パワー密度の次世代ドライブシステムや、世界で初めてGaNパワー半導体モジュールを搭載した次世代パワーコンディショナの開発など、インバータ開発で...
勤務地
神奈川県

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